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Rasterelektronenmikroskopie

Grundprinzip:

Mit einem fokussierten Elektronenstrahl wird eine Probenoberfläche zeilenweise abgerastert und die entstehenden Sekundärsignale detektiert. Das Rasterelektronenmikroskop liefert dabei detaillierte Abbildungen mit Vergrößerungsverhältnissen von bis zu etwa 1:1.000.000. Aufgrund der kleinen Wellenlänge der hochenergetischen Elektronen übertrifft die Schärfentiefe die von herkömmlichen Lichtmikroskopen um bis zu Faktor 1.000.

REM-Aufnahmen
REM-Aufnahmen von Talkum (links) und Titandioxid (rechts)

 

Typische Anwendungen der Rasterelektronenmikroskopie:

  • Charakterisierung von Topographien und Mikrorissen
  • Analyse von feinen Oberflächenstrukturen
  • Analyse der (Größen-)Verteilung von Füll- und Verstärkungsstoffen
  • Untersuchung der Matrixhaftung von Füll- und Verstärkungsstoffen
  • Strukturuntersuchungen an Polymermischungen
  • Untersuchung von Beschichtungen
  • Beurteilung von Verschleißphänomenen
  • Charakterisierung von Pulvern
  • Untersuchung von Porositäten und Porenverteilungen
  • Analyse von Verarbeitungsfehlern

Ausstattung:

  • Hochauflösendes Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (FE-REM) Supra 40VP der Fa. Carl Zeiss Microscopy, bis zu ca. 900.000-fache Vergrößerung, Auflösung < 5 nm
  • Druckvariabler Betrieb (VP-Modus) für ladungssensitive Proben möglich
  • Verschiedene Sekundär- und Rückstreuelektronendetektoren für den Hochvakuum(HV)- und den druckvariablen (VP) Betrieb
  • Gekoppelt mit Energiedispersiver Röntgenspektroskopie (EDX)
  • Software SmartSEM